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臺(tái)式四探針電阻率測試儀 型號(hào):DP-2258C

更新時(shí)間:2017-07-18點(diǎn)擊次數(shù):1061

數(shù)字式四探針測試儀/臺(tái)式四探針電阻率測試儀 型號(hào):DP-2258C

概述
DP-2258C型數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測試臺(tái)等分組成。
主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校能;電壓電流自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程;測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀特贈(zèng)設(shè)測試結(jié)果分類能,zui大分類10類。
探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測量。配探頭,也可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
測試臺(tái)選配:般四探針法測試電阻率/方阻配DP-T-ADP-T-BDP-T-CDP-T-F型測試臺(tái)。二探針法測試電阻率測試選DP-T-K型測試臺(tái),也可選配DP-T-D型測試臺(tái)以測試半導(dǎo)體粉末電阻率,選配DP-T-G型測試臺(tái)測試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測試臺(tái)的特點(diǎn)與選型參考》
儀器具有測量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測試。
三、基本參數(shù)
1. 測量范圍、分辨率(括號(hào)內(nèi)為可向下拓展1個(gè)數(shù)量級(jí))
    阻:10.0×10-6  200.0×103  Ω,    分辨率1.0×10-6  0.1×103  Ω
         1.0×10-6  20.00×103  Ω,    分辨率0.1×10-6  0.01×103 Ω
  率:10.0×10-6  200.0×103 Ω-cm   分辨率1.0×10-6  0.1×103  Ω-cm
         1.0×10-6  20.00×103 Ω-cm  分辨率0.1×10-6  0.01×103 Ω-cm
方塊電阻:50.0×10-6  900.0×103 Ω/□    分辨率5.0×10-6  0.5×103  Ω/□ 
         5.0×10-6  100.0×103 Ω/□  分辨率0.5×10-6  0.1×103  Ω/□
2. 材料尺寸(由選配測試臺(tái)和測試方式?jīng)Q定)
    徑: DP-T-A圓測試臺(tái)直接測試方式 Φ15130mm,手持方式不限
DP-T-B/C/F方測試臺(tái)直接測試方式180mm×180mm,手持方式不限.
()度:  測試臺(tái)直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
測量方位:  軸向、徑向均可

量程劃分及誤差等級(jí)

滿度顯示

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

2.000

常規(guī)量程

-cm/

-cm/

Ω-cm/□

-cm/

---

zui大拓展量程

---

-cm/

Ω-cm/□

-cm/

-cm/

基本誤差

±2%FSB

±4LSB

±1.5%FSB

±4LSB

±0.5%FSB±2LSB

±0.5%FSB

±4LSB

±1.0%FSB

±4LSB

作電源:220V±10, f=50Hz±4,PW≤5W

5.外形尺寸: 245mm(長)×220 mm(寬)×95mm()

   重:≤1.52.0kg

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